热压键合设备中对快速升温的控制
背景
快速热压键合（TCB）通过局部精准加热与快速升降温，实现芯片与基板的高效互联，已广泛应用于HBM高带宽内存、3D-IC集成等先进封装领域。
课题
传统整体加热工艺因热膨胀不匹配，难以满足50μm以下互连需求。快速键合采用局部精准加热，追求极速升降温以缩短工艺时间，但升温越快，温度超调与波动的风险也越大。这就要求温度控制器具有极高的响应速度以及稳定的PID控制算法，使键合工艺在最佳温度窗口期内完成。
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