背景

干法刻蚀是半导体制造中用于精确去除材料的关键工艺，通过等离子体对晶圆进行选择性刻蚀。等离子体由射频电源（Power）驱动。在某些工艺中，Power采用分步通断的方式，在刻蚀步骤与工艺条件调整步骤之间周期性切换（切换周期通常在秒级或更长）。

课题

Power的周期性切换会引起等离子体密度的波动，进而导致工艺腔内热量周期性地增加和减少。刻蚀工艺对温度控制精度要求极高，Power启动产生的热量会造成温度快速上升，Power停止后温度又急剧下降。

这种固定频率的热干扰若不能有效抑制，将直接影响刻蚀精度与工艺一致性，例如：导致刻蚀剖面变形、关键尺寸（CD）出现数十纳米的偏差。

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