氧化/扩散炉中基于大滞后特性的控温改善
背景
氧化/扩散炉是半导体前工序的重要工艺设备，广泛应用于晶圆的扩散、氧化、退火等高温热处理工艺。由于炉内材料会吸收并积蓄热量，该工艺过程中温度呈现出极大的滞后特性。
课题
氧化工艺用于在晶圆表面生长二氧化硅绝缘层，扩散工艺用于向晶圆内部掺入杂质元素，两类工艺对温控精度要求严苛。
当升温趋近目标设定值时，材料积蓄的热量无法及时释放，就会出现温度超调现象，导致氧化膜厚度偏差或掺杂浓度偏离工艺窗口，同时因温度稳定时间过长而降低生产效率。
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