针对存在的温度大滞后现象的氧化扩散炉等设备的串级温度控制
氧化及扩散炉是半导体前工序重要工艺设备，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火等工艺。主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域，工艺过程温度具有极大的滞后特性。
代表装置
氧化扩散装置 退火装置 镀膜装置
潜在课题
由于大滞后设备中的材料会吸收并积蓄热量，当升温接近目标设定值时，积蓄的热量无法及时释放，就会出现的温度超调现象，这不仅会影响产品品质，也会因温度稳定时间过长而降低生产效率。
解决对策
阿自倍尔公司产品在标准串级的基础上，引入了主控回路的测量值一同参与运算，升温时，可以根据主控回路的温度变化，将副控回路的设定值限定在一定范围内，从而避免因材料积蓄过多热量而造成温度的超调现象。
效果对比
原理描述
从图示中可以看到，传统串级会产生较大的温度超调，NX的串级算法可以有效抑制超调。除此之外，阿自倍尔公司还提供了基于主控回路设定值的串级算法，用户可以根据装置特性进行自由选择。
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